夾層結構

[拼音]：gaoxingneng jinshu-yanghuawbandaoti jicheng dianlu

[英文]：high performance MOS integrated circuit

器件和電路連線的尺寸按某種規律縮小，其他有關引數隨著相應變化，以達到高效能(速度快、功耗低、整合密度高)指標的矽柵NMOS電路技術，簡稱HMOS。

按比例縮小原則

表中數值為MOS器件尺寸和電壓等引數縮小K分之一、襯底濃度增大K倍以後，電路效能提高的情況：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延遲乘積降至1/K3。MOS電路尺寸的微細化，對提高超大規模積體電路的效能有很大的作用。此表是按照縮小前後MOS電晶體溝道區電場不變的原則推算出來的(通常稱為恆定電場按比例縮小原則)。在實際電路中，希望電源電壓保持不變，因此出現了恆壓按比例縮小原則。這時所得到的效能改進，比表中所列數值差一些。實際HMOS技術規範並非嚴格按照某種比例原則制定的，而是要兼顧微細化加工水平、電源電壓相容性、各種次噪效應的抑制、電路的可靠性和成品率等多種因素。

微細化 MOS電路的次級效應

MOS 器件的尺寸縮小到一定程度後，會出現一系列的次級效應。

（1）短溝道效應：溝道過短時，開啟電壓隨漏源電壓的升高和溝道長度的減小而降低。

（2）窄溝道效應：溝道太窄時，開啟電壓隨溝道寬度的減小而升高。

（3）源、漏穿通：溝道過短並加上一定的V

時，源結和漏結耗盡區會碰在一起，從而引起 MOS電晶體源、漏間的穿通。

（4）漏電壓對源勢壘的調製效應：在源、漏穿通之前，因結耗盡區的靠近，漏電壓會使源結的勢壘降低，從而增大亞閾值電流，使MOS電晶體失去良好的開關效能。

（5）熱電子效應：溝道長度縮短到一定程度後，溝道區內的電場變得很強，使電子溫度升高。一部分熱電子將有可能注入柵介質層並陷落在氧化層的陷阱中，引起開啟電壓的漂移，從而使長期工作不盡可靠。