電子技術基礎試題整理

電子技術基礎試題整理

　　電子技術,是指“含有電子的、資料的、磁性的、光學的、電磁的、或者類似效能的相關技術”.下面是小編為你帶來的電子技術基礎試題整理 ，歡迎閱讀。

　　電子技術基礎試題一

　　1、半導體的導電能力隨溫度變化而變化；

　　2、P型半導體又稱為空穴半型半導體；

　　3、PN接面的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做正偏；

　　4、PN接面的P區接電源正極、N區接電源負極的接法叫做反偏；

　　5、PN接面正向偏值時處於導通狀態；

　　6、PN接面反向偏值時處於截止狀態；

　　7、矽二極體的正向電壓為0.7V，鍺管為0.3V；

　　8、對於質量良好的二極體，其正向電阻一般為幾百歐姆；

　　9、穩壓二極體廣泛應用於穩壓電源與限幅電路中；

　　10、變容二極體的反向偏壓越大，其結電容越大；

　　電子技術基礎試題二

　　1、肖特基二極體不是利用P型與N型半導體接觸形成PN接面原理製作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的.金屬—半導體結原理製作的；

　　2、PNP與NPN型電晶體的工作原理相同，只是使用時電源連線極性不同；

　　3、PNP型與NPN型電晶體都有集電極、基級和發射極三個電極；

　　4、PNP型與NPN型電晶體都有集電區、基區和發射區三個區；

　　5、電晶體三個電極間的關係為Ie=Ib+Ic;

　　6、電晶體的三種工作狀態是截止、飽和與放大；

　　7、電晶體處於截止狀態時集電極與發射極之間相當於開路；

　　8、電晶體處於飽和狀態時集電結與發射結並不是均為反偏；

　　9、一般的，電晶體的溫度升高後工作穩定性將變差；

　　10、電晶體的交流電流放大係數的值一般為20—200；

　　電子技術基礎試題三

　　1、電晶體具有電流放大作用的內部條件是基區很薄、集電結面積大；

　　2、電晶體放大作用的實質是用一個小電流控制一個大電流；

　　3、電晶體的擊穿電壓與溫度有關，會發生變化；

　　4、PNP型與NPN型電晶體都可以看成是反向串聯的兩個PN接面；

　　5、帶阻尼電晶體是將電晶體、阻尼二極體、與保護電阻封裝在一起構成的；

　　6、差分對管是將兩隻效能引數相同的電晶體封裝在一起構成的；

　　7、達林頓管的放大係數很高，主要用於高增益放大電路等；

　　8、場效應電晶體可分為結型和絕緣柵型兩大類；

　　9、結型場效應不僅僅依靠溝道中的自由電子導電；

　　10、場效應電晶體的輸出特性曲線可分為四個區域；