國際糖報

[拼音]：shuangkuosan jinshu-yanghuawu-bandaoti jicheng dianlu

[英文]：double diffused MOS integrated circuit

以雙擴散MOS電晶體為基礎的電路，簡稱DMOS。利用兩種雜質原子的側向擴散速度差，形成自對準的亞微米溝道，可以達到很高的工作頻率和速度。

圖中a是橫向DMOS電晶體（簡稱LDMOS），圖b是垂直DMOS電晶體(簡稱VDMOS)。LDMOS是平面型的，三個電極都由上表面引出，適合於與其他器件整合。源擴散是自對準的，而柵金屬層則與漏擴散區離開，以減小輸入和反饋電容，並緩和短溝道效應。VDMOS在N+矽襯底上生長一層N-外延層，電子流經溝道後改為垂直方向由襯底流出。因此，漏電極由矽片底面引出，矽片表面只有源電極和柵電極，有利於提高整合度。與普通MOS電晶體相比DMOS在結構上有兩個主要區別:一是將P型、N型雜質通過同一氧化層視窗順次擴散，形成很短的溝道；二是在溝道與漏區之間加入一個輕摻雜的N-漂移區，其摻雜濃度遠小於溝道區。這個區承受大部分所加的漏電壓，從而使短溝道效應減弱，提高漏擊穿電壓，從而實現短溝道與高擊穿電壓結合而得到的一系列優點。

DMOS積體電路的主要優點是擊穿電壓高和自對準構成微米溝道，而沒有嚴重的短溝道效應。DMOS電路技術與E/D MOS電路(見增強型與耗盡型金屬-氧化物-半導體積體電路)相結合，在70年代後期曾受到人們重視，研製出一些高速的大規模積體電路。但是，由於工藝控制上的困難，尚不能形成主要的產品。這種技術對製造高速、高電壓積體電路仍有很大潛力，已製造出擊穿電壓達幾百伏的DMOS積體電路。另一方面，DMOS電晶體作為高頻大功率器件已取得很大進展。與雙極型高頻功率管相比，DMOS管有兩個重要優點：

（1）利用多數載流子工作，沒有少數載流子儲存效應，所以速度快；

（2）由於遷移率的負溫度係數，電流隨溫度（一般溫度下）上升而下降。因此，熱逃逸和二次擊穿效應很小。這種器件還可並聯得到高輸出功率，而不需要有鎮流電阻。