現代記憶體顆粒怎麼樣
我們都知道記憶體條都有記憶體顆粒,那麼對於現在市面上的記憶體條上的記憶體顆粒,究竟怎麼樣呢?下面小編就為大家詳細地介紹一下吧,歡迎大家參考和學習。
Q:我買了一條金士頓的記憶體條,DDR3 4GB的記憶體,記憶體上面的顆粒怎麼是現代的記憶體顆粒?和我機器上的另外一條金士頓不一樣,另外的一條金士頓記憶體是爾必達的顆粒。
A: 基本上沒有什麼問題的,現代記憶體多見於品牌機裡面,金士頓使用的不同的顆粒生產記憶體這個沒什麼關係,不同批次採購不同的顆粒而已,整體的設計規格是一樣的。現代記憶體顆粒和爾必達***爾必達最近已經申請了破產保護,記憶體商採購顆粒肯定不止一家的哦,只要保證正品即可***記憶體顆粒都是非常好的記憶體顆粒,金士頓的記憶體條假貨多,只要根據一些常規的防偽手段檢驗沒問題就基本差不多了。
現代記憶體顆粒的編號也是由四段字母或數字組成,具體分佈請看下圖。A、B四部分的含義與三星記憶體顆粒編號的含義相同,分別表示該記憶體顆粒的生產企業及生產日期。C、D部分所包含的內容主要是指記憶體的相關規格。接下來我們就詳細分解。
A部分不用多說,鐵定都是Hynix的LOGO。
B部分是生產日期,由三個數字和一個字母組成,和三星記憶體顆粒的編號一樣,第一個數字表示生產年份,後兩位數字表示在該年的第XX周生產。最後的字母,由於在官方檔案中沒有解釋,筆者也未弄明白。
C部分也是表示該記憶體顆粒的頻率、延遲引數。由1-3位字母和數字共同組成。根據頻率、延遲引數不同,分別用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8個字母/數字組合來表示。
其中:
“D5”代表DDR500***250MHz***,延遲為3-4-4;
“D43”代表DDR433***216MHz***,延遲為3-3-3;
“D4”代表DDR400***200MHz***,延遲為3-4-4;
“J”代表DDR333***166MHz***,延遲為2.5-3-3;
“M”代表DDR266***133MHz***,延遲為2-2-2;
“K”代表DDR266A***133MHz***,延遲為2-3-3;
“H”代表DDR266B***133MHz***,延遲為2.5-3-3;
“L”代表DDR200***100MHz***,延遲為2-2-2。
補充:緊接這C部分的數字後面,實際上還有一個編號,只是這個編號一般並沒有被標示出來。他用來表示記憶體顆粒的工作溫度和應用等級。用“Bank、I、E”來表示不同的工作溫度和應用等級,其中:
“Blank”代表商業型,工作溫度在0 °C~70 °C之間;
“E”代表增強型,工作溫度在-25°C~85 °C之間;
“I”代表工業型,工作溫度在-40°C~85 °C之間。
總結:
1. HY代表著該顆粒是現代製造的產品。
2. 記憶體晶片型別:***5D=DDR SDRAM***
3. 處理工藝及供電:***V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V***
4. 晶片容量密度和重新整理速度:***64:64M 4K重新整理;66:64M 2K重新整理;28:128M 4K重新整理;56:256M 8K重新整理;57:256M 4K重新整理;12:512M 8K重新整理;1G:1G 8K重新整理***
5. 記憶體條晶片結構:***4=4顆晶片;8=8顆晶片;16=16顆晶片;32=32顆晶片***
6. 記憶體bank***儲蓄位***:***1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank***
7. 介面型別:***1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18***
8. 核心代號:***空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代***
9. 能源消耗:***空白=普通;L=低功耗型***
10. 封裝型別:***T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA***
11. 封裝堆疊:***空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP***Hynix***;MU=MCP***UTC******
12. 封裝原料:***空白=普通;P=鉛;H=鹵素;R=鉛+鹵素***
13. 速度:***D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200***
14. 工作溫度:***I=工業常溫***-40 - 85度***;E=擴充套件溫度***-25 - 85度******
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