怎樣區分記憶體條是幾代的

  小編和廣大的電腦愛好者分享記憶體條怎樣區分是幾代的?希望能夠給大家帶來更多實用的電腦知識!

  

  防呆缺口:位置不同防插錯

  防呆缺口,目的是讓我們安裝記憶體時以免插錯。我們可以看見三代記憶體上都只有一個防呆缺口,大家注意一下這三個卡口的左右兩邊的金屬片,就可以發現缺口左右兩邊的金屬片數量是不同的。

  比如DDR 記憶體單面金手指標腳數量為92個雙面184個,缺口左邊為52個針腳,缺口右邊為40個針腳;DDR2 記憶體單面金手指120個雙面240個,缺口左邊為64個針腳,缺口右邊為56個針腳;DDR3記憶體單面金手指也是120個雙面240個,缺口左邊為72個針腳,缺口右邊為48個針腳。

  晶片封裝:濃縮是精華

  在不同的記憶體條上,都分佈了不同數量的塊狀顆粒,它就是我們所說的記憶體顆粒。同時我們也注意到,不同規格的記憶體,記憶體顆粒的外形和體積不太一樣,這是因為記憶體顆粒“包裝”技術的不同導致的。一般來說,DDR記憶體採用了TSOPThin Small Outline Package,薄型小尺寸封裝封裝技術,又長又大。而DDR2和DDR3記憶體均採用FBGA底部球形引腳封裝封裝技術,與TSOP相比,記憶體顆粒就小巧很多,FBGA封裝形式在抗干擾、散熱等方面優勢明顯。

  TSOP是記憶體顆粒通過引腳焊接在記憶體PCB上的,引腳由顆粒向四周引出,所以肉眼可以看到顆粒與記憶體PCB介面處有很多金屬柱狀觸點,並且顆粒封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優點是成本低、工藝要求不高,但焊點和PCB的接觸面積較小,使得DDR記憶體的傳導效果較差,容易受干擾,散熱也不夠理想。

 

  FBGA封裝把DDR2和DDR3記憶體的顆粒做成了正方形,而且體積大約只有DDR記憶體顆粒的三分之一,記憶體PCB上也看不到DDR記憶體晶片上的柱狀金屬觸點,因為其柱狀焊點按陣列形式分佈在封裝下面,所有的觸點就被“包裹”起來了,外面自然看不到。其優點是有效地縮短了訊號的傳導距離。

 

  速度與容量:成倍提升

  前面我們教大家如何計算記憶體頻寬大小,其實我們在選擇記憶體和CPU搭配的時候就是看記憶體頻寬是否大於或者等於CPU的頻寬,這樣才可以滿足CPU的資料傳輸要求。

  而我們從頻寬公式頻寬=位寬×頻率÷8可以得知,和頻寬關係最緊密的就是頻率。這也是為什麼三代記憶體等效頻率一升再升的原因之一,其目的就是為了滿足CPU的頻寬。

  不僅速度上有所提升,而且隨著我們應用的提高,我們也需要更大容量的單根記憶體,DDR時代賣得最火的是512MB和1GB的記憶體,而到了DDR2時代,兩根1GB記憶體就只是標準配置了,記憶體容量為4GB的電腦也逐漸多了起來。甚至在今後還會有單根8GB的記憶體出現。這說明了人們的對記憶體容量的要求在不斷提高。

  延遲值:一代比一代高

  任何記憶體都有一個CAS延遲值,這就好像甲命令乙做事情,乙需要思考的時間一樣。一般而言,記憶體的延遲值越小,傳輸速度越快。

  從DDR、DDR2、DDR3記憶體身上看到,雖然它們的傳輸速度越來越快,頻率越來越高,容量也越來越大,但延遲值卻提高了,譬如DDR記憶體的延遲值第一位數值大小最重要,普通使用者關注第一位延遲值就可以了為1.5、2、2.5、3;而到了DDR2時代,延遲值提升到了3、4、5、6;到了DDR3時代,延遲值也繼續提升到了5、6、7、8或更高。

  功耗:一次又一次降低

  電子產品要正常工作,肯定要有電。有電,就需要工作電壓,該電壓是通過金手指從主機板上的記憶體插槽獲取的,記憶體電壓的高低,也反映了記憶體工作的實際功耗。一般而言,記憶體功耗越低,發熱量也越低,工作也更穩定。DDR記憶體的工作電壓為2.5V,其工作功耗在10W左右;而到了DDR2時代,工作電壓從2.5V降至1.8V;到了DDR3記憶體時代,工作電壓從1.8V降至1.5V,相比DDR2可以節省30%~40%的功耗。為此我們也看到,從DDR記憶體發展到DDR3記憶體,儘管記憶體頻寬大幅提升,但功耗反而降低,此時記憶體的超頻性、穩定性等都得到進一步提高。

  製造工藝:不斷提高

  從DDR到DDR2再到DDR3記憶體,其製造工藝都在不斷改善,更高的工藝水平會使記憶體電氣效能更好,成本更低。譬如DDR記憶體顆粒廣泛採用0.13微米制造工藝,而DDR2顆粒採用了0.09微米制造工藝,DDR3顆粒則採用了全新65nm製造工藝1微米=1000奈米。

  總結

  記憶體的知識就講到這裡了,總的說來,記憶體主要扮演著CPU資料倉庫的角色,所以CPU效能的提升,記憶體的容量和效能都要跟得上,但也不可盲目地把記憶體容量配得過大。對於大多數使用者來說2GB DDR2 800的記憶體就足夠了,而偏高階一點的電腦使用總容量為4GB的記憶體就差不多了。

  記憶體條怎樣區分是幾代的?有什麼區別?

  1.SDR兩個缺口,單面84針腳,雙面168針腳,電壓3.3v,記憶體顆粒長方形已淘汰。

  2.DDR1第一代一個缺口,單面92針腳,雙面184針腳,電壓2.5v,記憶體顆粒長方形 工作頻率266,333,400。

  3.DDR2第二代一個缺口,單面120針腳,雙面240針腳,電壓1.8v,記憶體顆粒正方形 工作頻率533,667,800。

  4.DDR3第三代一個缺口,單面120針腳,雙面240針腳,電壓1.5v,記憶體顆粒正方形 工作頻率1066,1333,1800