DENDRAL系統

[拼音]：quyu ronglian

[英文]：zone melting

靠區域性加熱使材料錠條上出現一個狹窄熔區，並將此窄熔區緩慢移動，利用雜質在固相與液相間的溶解度差異，在熔化和凝固的過程中控制雜質分佈的技術。也稱區域熔化。

區域提純

區域熔鍊中最重要的應用，也是製備半導體材料和其他高純材料(金屬、無機化合物和有機化合物)的重要方法。由圖1可以看到，當固液共存時，雜質在固相中的濃度Cs和液相中的濃度C1是不相同的，兩者之比稱為分佈係數，即 K＝Cs/C1。在圖2中，當熔區自左向右緩慢移動時，若分佈係數K小於1，雜質就會逐漸向右邊富集；反之，則向左邊富集。圖3是區熔一次後不同分佈係數 K的雜質分佈曲線。圖中C為雜質濃度，C0為雜質的初始濃度，l為熔區長度，x為已凝固的總長度。一次區域提純往往不能達到所要求的純度，提純過程需要重複多次或者用一系列的加熱器，在一個錠條上產生多個熔區。讓這些熔區在一次操作中先後通過原料錠條。

普凡 (W.G.Pfann)在20世紀50年代初發明瞭區域提純法並且用來製備高純鍺，並在此後的幾年裡對區域提純理論作了詳細的闡述。鍺是使用區域提純較早而且效果顯著的材料。經化學提純後的鍺中雜質含量為 10ppm。當區域提純六次以後，錠長的一半以上雜質濃度可降到0.1ppb。懸浮區域熔化工藝應用於矽單晶生產，在高真空(10-5)託下使雜質揮發，可製備探測器級的矽材料，其雜質含量可達0.05ppb。

難熔金屬(鎢、鉬、鉭)的懸浮區域熔鍊是真空下用電子束加熱的。區熔次數與鎢單晶純度的關係見表。表中用 R298K/R4.2K表示材料的純度，隨著區熔次數增加，R298K/R4.2K也增加，說明材料純度提高。

區域提純技術還用於製備鋁、鎵、銻、銅、鐵、銀、碲、硼等元素的高純金屬材料，也用於某些無機化合物和有機化合物的提純（見超純金屬）。