甲醇

[拼音]：feijingtai bandaoti cunchuqi

[英文]：amorphous semiconductor memory

利用外界條件，如電、熱、壓力、光等，使非晶態薄膜的結構發生變化，用以記錄和儲存資訊的器件。這種儲存器大都用硫系玻璃半導體制成，因而也稱為玻璃半導體儲存器。

60年代初，人們就發現某些玻璃半導體中存在電開關和儲存現象，但當時並未受到重視。1968年，美國人S.R.奧辛斯基報道，在玻璃半導體Te-As-Si-Ge中存在可重複的穩定的電開關和儲存效應，引起了各國科學家的極大興趣。

非晶態半導體儲存器主要有電儲存器和光儲存器兩類。前者的資訊存入、擦除和讀出，都是用電脈衝；後者則用光脈衝。

非晶態半導體電儲存器

利用其在電學性質上存在雙穩態特性，即利用不同電脈衝訊號使其保持高阻狀態（關態）或低阻狀態（開態）工作。按伏安特性劃分主要有兩種型別，即具有開關效能的儲存器和電壓控制負阻型儲存器。開關效能的儲存器的典型例子是硫系非晶態半導體儲存器（圖1），其起始為高阻態，當加在器件上的電壓升高時，電流沿OA增加，如電壓小於閾值電壓Ut，器件則保持在高阻態。當電壓超過Ut時，沿負載線由A點過渡到B點，成為低阻態。電壓降為零後，器件仍保持低阻態。這時再加電壓，電流就沿OB方向增加，只有加上適當大的電流脈衝（稱為復位電流）後，器件才恢復到高阻態（以OA表示）。反向的伏安特性與正向的相似。圖2為電壓控制負阻型(N 字型)儲存器的伏安特性。在某些MIM結構的氧化物薄膜（如Al-SiO-Au）中可觀測到這種特性。起始為低阻態，增加外加電壓，器件由低阻區經負阻區達A點後，電壓迅速降低，器件就可保持高阻態，其伏安特性由OA′表示。加在器件上的電壓達B點後就迅速降低，器件將保持阻值較低的高阻態，其伏安特性由OB′表示。只要加上幅度超過Ut的脈衝即可使器件恢復到起始的低阻態。這種非晶態半導體儲存器的高阻和低阻兩種狀態的轉化是可逆的，並可反覆進行。

用硫系非晶態半導體已製成有1024位的電可擦除的可程式設計序只讀儲存器。這類儲存器與隨機儲存器不同，雖然也能擦寫，但主要用於固定讀出，需要時才加以改寫，所以是一種主讀儲存器。非晶態半導體儲存單元整合在矽片上，儲存單元之間用PN接面二極體隔離(圖3)，各單元的關態電阻與開態電阻值之比為103～106。

非晶態半導體儲存器有如下優點：

（1）資訊可長期保持而無功耗；

（2）每位的狀態可用電脈衝隨意改寫；

（3）可直接與二極體-電晶體邏輯電路和電晶體-電晶體邏輯電路相匹配；

（4）具有抗高能粒子輻照效能。

非晶態半導體光儲存器

利用光輻照（鐳射或氙燈閃光）使非晶態半導體中的光斑處發生結構變化（一般為非晶態與晶態之間的變化），以記錄光資訊。它具有光的雙穩態性質。晶態與非晶態兩種狀態的折射率和吸收率明顯不同，根據反射率和透射率的差異讀出。

光儲存器一般採用以硫 (S)、硒(Se)或碲(Te)為基的硫系非晶態半導體，可用真空蒸發或射頻濺射法大面積澱積薄膜，並可通過改變材料成分來連續改變材料的光學性質。所用的鐳射波長範圍從紫外到紅外輻射。

光資訊記錄在非晶態半導體的光碟上，用鐳射束聚焦為亞微米的光斑。每平方微米材料寫入資訊所需的鐳射能量為0.1～0.2納焦。如圓盤轉速為每分鐘1800轉，光碟上鐳射功率可小於10毫瓦。所記錄的影象質量良好，解析度超過1000條對每毫米。點的尺寸沒有衍射的限制。光照可使晶態轉為非晶態，如把鐳射強度降低三分之二，就可把非晶態轉變為晶態。

非晶態半導體儲存器可用作高密度、高信噪比的光資訊記錄介質，儲存位數高於2×107位/釐米2，適用於計算機的儲存器、大容量資料儲存器、使用者和工業視訊光碟、視訊光碟主控制檯等，也可用作全息照像的記錄介質、超微縮底片等。